| 品牌： | MAXIM INTEGRATED |
| 型号： | DS1270Y-70# |
| 封装： | N/A |
| 数量： | 238271 |
| 描述： | IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 原厂标准交货期： | 6 周 |
| 详细描述： | NVSRAM（非易失性-SRAM）-存储器-IC-16Mb（2M-x-8）-并联-70ns-36-EDIP |
| 数据列表： | DS1270(Y,AB); |
| 标准包装： | 9 |
| 包装： | 管件 |
| 零件状态： | 有源 |
| 类别： | 集成电路（IC） |
| 产品族： | 存储器 |
| 系列： | - |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 技术： | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 存储容量： | 16Mb（2M x 8） |
| 存储器接口： | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页： | 70ns |
| 访问时间： | 70ns |
| 电压 - 供电： | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 36-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商器件封装： | 36-EDIP |
只要WE（写入启用）处于非活动状态（高），CE（芯片启用）和OE（输出启用）处于活动状态（低），DSl270设备就会执行读取周期。2l地址输入（A-Azg）指定的唯一地址定义了访问2097152字节数据中的哪一个。在最后一个地址输入信号稳定后，在tacc（访问时间）内，有效数据将提供给八个数据输出驱动器，前提是CE和OE（输出启用）访问时间也满足。如果不满足OE和CE访问时间，则必须从稍后出现的信号（CE或OE）测量数据访问，并且限制参数对于CE太大或对于OE太大，而不是tacc。
在线客服
.jpg)