| 品牌： | MAXIM/美信 |
| 型号： | DS1245Y-120+ |
| 数量： | 220 |
| 制造商： | Maxim Integrated |
| 产品种类： | NVRAM |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | EDIP-32 |
| 接口类型： | Parallel |
| 存储容量： | 1 Mbit |
| 数据总线宽度： | 8 bit |
| 访问时间： | 70 ns |
| 电源电压-最大： | 5.5 V |
| 电源电压-最小： | 4.5 V |
| 工作电源电流： | 85 mA |
| 最小工作温度： | 0 C |
| 最大工作温度： | + 70 C |
| 系列： | DS1245Y |
| 高度： | 9.4 mm |
| 长度： | 43.69 mm |
| 宽度： | 18.8 mm |
| 安装风格： | Through Hole |
| 工作电源电压： | 5 V |
| 零件号别名： | DS1245Y 90-1245Y+120 |
DS1245 1024k非易失性SRAM是1048576位、完全静态、非易失的SRAM，由8位组成31072个字。每一个完整的NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路持续监测Vcc是否超出容差。当出现这种情况时，锂能源将自动打开，并且无条件启用写入保护，以防止数据损坏。DIP封装DSl245器件可用于替代现有的128k x8静态RAM，直接符合流行的字节宽32引脚DIP标准。PowerCap模块封装中的DS1245器件可直接表面安装，通常与DS9034PC’werCap配对，形成完整的非易失性SRAM模块。可执行的写周期数量没有限制，微处理器接口不需要额外的支持电路
在线客服
.jpg)