| 品牌： | ADI(亚德诺) |
| 型号： | ADG1223BRMZ-REEL7 |
| 封装： | MSOP-10 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 5000 |
| 类别： | 集成电路（IC） 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 |
| 制造商： | Analog Devices Inc. |
| 开关电路： | SPST - 常开/常闭 |
| 多路复用器/解复用器电路： | 1：1 |
| 电路数： | 2 |
| 导通电阻（最大值）： | 200 欧姆 |
| 通道至通道匹配 (ΔRon)： | 2.5 欧姆 |
| 电压 - 电源，单 (V+)： | 5V ~ 16.5V |
| 电压 - 供电，双 (V±)： | ±5V ~ 16.5V |
| 开关时间 (Ton, Toff)（最大值）： | 130ns，105ns |
| -3db 带宽： | 960MHz |
| 电荷注入： | 0.1pC |
| 沟道电容 (CS(off)，CD(off))： | 2.2pF，2.2pF |
| 电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值）： | 100pA |
| 串扰： | -90dB @ 1MHz |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
ADG1221/ADG1222/ADG1223是单片互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包含四个基于iCMOS（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种结合了高压CMOS和双极技术的模块化制造工艺。它能够开发出广泛的高性能模拟IC，能够在33伏的电压下工作，其占地面积是前一代高压部件所无法实现的。与使用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS组件可以承受高电源电压，同时提供更高的性能、显著更低的功耗和更小的封装尺寸。这些开关的超低电容和极低的电荷注入使其成为数据采集和采样保持应用的理想解决方案，这些应用需要低毛刺和快速稳定。图2显示了在器件的整个信号范围内存在最小的电荷注入。ADG1221/ADG1222/ADG1223包含两个独立的单极/单掷（SPST）开关。ADG1221和ADG1222的不同之处仅在于数字控制逻辑是反相的。ADG1221开关接通，相应控制输入上的逻辑1，ADG1222需要逻辑0。ADG1223有一个开关，其数字控制逻辑与ADG1221类似；逻辑在另一个开关上反转。ADG1223表现出先断后合的切换动作，用于多路复用器应用。每个开关在接通时在两个方向上都同样良好地导通，并且具有延伸到电源的输入信号范围。在关闭状态下，电源的信号电平被阻断
