| 品牌： | ADI/亚德诺 |
| 型号： | ADR444ARMZ-REEL7 |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 5500 |
| 制造商： | Analog Devices Inc. |
| 产品种类： | 参考电压 |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | MSOP-8 |
| 参考类型： | Series Precision References |
| 输出电压： | 4.096 V |
| 温度系数： | 5 PPM / C |
| 分流电流—最大值： | 10 mA |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 125 C |
| 系列： | ADR444 |
| 准确性： | 50 ppm/mA |
| 描述/功能： | 4.096 V high precision, LDO XFET reference for use with high performance sigma-delta converters |
| 高度： | 0.85 mm |
| 输入电压： | 4.6 V to 18 V |
| 长度： | 3 mm |
| 输出电流： | 10 mA |
| 宽度： | 3 mm |
| 拓扑结构： | Series References |
| 负载调节： | 50 ppm/mA |
| 工作电源电流： | 3.75 mA |
| 单位重量： | 140 mg |
ADR441-EP1是XFET®电压基准，具有超低噪声、高精度和低温漂移性能。使用Analog Devices，股份有限公司、温度漂移曲率校正和额外注入结FET（XFET）技术，ADR441-EP中的电压变化与温度非线性大大降低。XFET参考比埋入式齐纳参考提供更好的噪声性能，XFET参考在低电源电压净空（500 mV）下工作。这种功能组合使ADR441-EP非常适合高端数据采集系统、军事通信和航空电子应用中的精确信号转换应用。ADR441-EP能够提供高达+10 mA的输出电流，并吸收高达-5 mA的电流。该设备还配有微调端子，可在不影响性能的情况下将输出电压调节到0.5%的范围内。ADR441-EP采用8引线窄SOIC封装。ADR441-EP适用于−55°C至+125°C的军用温度范围。其他应用和技术信息可在ADR441数据表中找到。
