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型号参数

DS1225AB-150IND+集成电路(IC)存储器-型号参数

时间:2023-01-10 11:01:28 作者:小编 点击:

DS1225AB-150IND+.png

技术参数

品牌:DALLAS
型号:DS1225AB-150IND
封装:DIP
批次:19+
数量:19900
RoHS:
产品种类:电子元器件
最小工作温度:-50C
最大工作温度:80C
最小电源电压:4.5V
最大电源电压:8.5V
长度:3.4mm
宽度:9.6mm
高度:1.7mm
DS1225AB和DS1225AD是65536位、全静态、非易失性SRAM,组织为8192个8位字。每个NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路,它持续监测Vcc是否超出公差。当出现这种情况时,锂能源将自动打开,并且无条件启用写保护以防止数据损坏。NV SRAM可以代替现有的8k x 8 SRAM,直接符合流行的字节宽28引脚DIP标准。这些器件还与2764 EPROM和2864 EEPROM的引脚匹配,在提高性能的同时允许直接替换。可以执行的写入周期的数量没有限制,并且不需要额外的支持电路来进行微处理器接口。



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